发布网友 发布时间:2024-10-24 15:03
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热心网友 时间:2024-11-03 07:19
元素Ge,原子序数为32,原子量72.59,其电子排布为4s24p2。原子半径122皮米,Ge4+的半径为53皮米。第一电离能为769.12千焦/摩尔,电负性为1.8,主要表现为+4和+2的氧化态。Ge位于第四周期的ⅣA族,是一种银白色、有光泽的金属,但质地较脆。晶体锗具有金刚石结构,密度为5.35克/厘米3,熔点高达937.4℃,沸点为2830℃。室温下,Ge在空气中稳定,但在高温下会氧化。粉状锗在氯或溴中可燃烧,不溶于水、盐酸和稀硫酸,但能溶于浓*、浓硫酸或王水。它不溶于稀苛性碱溶液,却能溶于熔融的苛性碱、*盐或碳酸盐,生成锗酸盐。与硫结合会产生硫化锗,而在1000℃以上,Ge还能与氢反应。高纯度的锗是重要的半导体材料,掺杂特定杂质的锗单晶用于制造晶体管、整流器等电子元件,还可用于制造温差电池,如太阳能电池和光电池,以及热敏电阻、薄膜电阻、半导体温度计,甚至红外线透过材料如锗窗、棱镜和透镜。锗的化合物则用于制作荧光板和高折射率玻璃。
作为稀有元素,锗在地壳中的含量极低,仅占质量的7.0×10-4,主要在煤、银、锡、锌、铜等矿石中微量存在。工业生产主要依赖于硫化锌矿、煤以及冶金废料和烟道灰尘的回收。门捷列夫在1871年曾预言其存在,德国化学家文克勒在1885年通过分析硫银锗矿首次发现了这种元素,随后通过硫化锗与氢的反应制得。提炼锗的基本步骤包括将硫化物矿氧化,使其转化为二氧化锗,再用盐酸溶解并蒸馏,利用四氯化锗的挥发性分离出来。接着通过水解四氯化锗,使其变为二氧化锗,最后在低于540℃的温度下用氢气还原氧化物,形成GeO2,这是一种白色粉末,不溶于水,具有酸性和碱性反应性。四氯化锗(GeCl4)则作为制备半导体锗的原料,由浓盐酸溶解二氧化锗制得,它是一种无色液体,遇水会分解为二氧化锗,密度为1.879克/厘米3,熔点为-49.5℃,沸点为83.1℃。
IVA族元素是元素周期表的主族元素,又称为碳族元素,位于硼族元素和氮族元素之间,包括碳(C)、硅(Si)、锗(Ge)、锡(Sn)、铅(Pb)、114号元素(Uuq)。这一族元素的原子最外层都有4个电子,最高正价都是+4价。